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成本降至百分之一：西安电子科技大学实现国产芯片重要突破_蜘蛛资讯网

硅与锗之间 4.2% 的晶格失配这一长期存在的技术难题，科研团队设计了多层渐变缓冲层配合低温生长技术，逐步减少原子级失配，同时采用原位退火和钝化技术抑制漏电，并通过创新的单光子雪崩二极管结构优化电场分布，降低噪声。目前，团队已构建起覆盖器件设计、材料外延、工艺流片、电路匹配与系统验证的全链条自主研发能力，其研制的硅锗单光子探测器在近室温条件下的核心性能已与索尼、台积电等行业领军企业的先进水平相当。

·고등학생은 무료이다.

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发布时间：04:31:19